陳教授在演講中指出鈮酸鋰為基的光子集成器件主要仍是高速光調制器，估計今后若干年內40Gps以上的鈮酸鋰M-Z調制器尚無別的可取代。

    半導體光子集成仍是光集成發展的主流

    在談到SiO2光子集成時說SiO2為基的AWG已有許多應用，雖然通道數一千以上的AWG在技術上已不是問題，但尚未實際采用，近年更注意發展與VOA和光開關等多功能集成的器件和模塊，通道數量中等，以適應發展靈活城域光網的需要，以此構成的ROADM就是明顯例子。陳教授認為半導體光子集成目前仍是光集成發展的主流，特別是InP光子集成受到多方面重視，取得了可喜進展，Bookham的InP 10Gps M-Z調制器芯片尺寸僅三毫米，可以大大縮小收發模塊體積；近兩年Infinera 的大規模光子集成發展迅速，1.6 Tb/s 的芯片上光器件已超過240，共40通道，傳輸速率40Gps。

    城域光網使用的光開關大部分都是在100端左右

    陳教授在講到MOEMS技術在光網絡中應用的前景時認為大端數光開關陣列的解決方案目前只有3D-MOEMS，已報道能做到了4000×4000端數，但現在千端數以上的光開關在光通信中還沒有采用，發展中的城域光網使用的光開關大部分都是在100端左右，例如Glimmerglass 公司開發的從32×32到160×160的MOEMS光開關子系統似乎很受歡迎。

    聚合物光子集成器件可能會在接入光網絡中應用

    關于聚合物光子集成器件，他認為首先可能會在接入光網中應用，例如1×16以上的光分路器，當大批量生產時有明顯的成本低的優勢，在今年2006OFC上，日本OMRON公司介紹了一項聚合物光子集成器件大量復制工藝。

    光子晶體前景廣闊 道路漫長

    演講的最后部分陳教授介紹了光子晶體在光子集成中應用的研究現狀和前景，由于光子晶體對光導通和限制的機理與傳統的材料和器件根本不同，光子帶隙效應可將光子晶體中光束限制于更小空間，使光器件尺寸更小，例如2005年已報道光子晶體M-Z調制器僅80微米，這就有可能更大提高光集成密度。陳教授指出光子晶體光子集成目前尚處于基礎研究階段，雖然已有許多有源和無源光子晶體光器件在實驗室證實，但到實際應用還有很長路程。