ICC訊 10月21日，廣東省人民政府辦公廳關于印發《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案(2024—2030年)》(以下簡稱《行動方案》)的通知。為加快培育發展光芯片產業，力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上“拳頭”產品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業，建設10個左右國家和省級創新平臺，培育形成新的千億級產業集群，建設成為具有全球影響力的光芯片產業創新高地。該行動方案，明確26點重要任務。

  光芯片是實現光電信號轉換的基礎元器件，相較于集成電路展現出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強的抗電磁干擾能力，有望帶動半導體產業變革式發展，有力支撐新一代網絡通信、人工智能、智能網聯汽車等產業高質量發展。

  今年9月，在深圳舉辦的IFOC 2024上，通信和光電產業研究機構ICC訊石報告預測，2023年全球光通信產業鏈產值約為480億美元，預計2028年達670億美元，年復合增長率為7.6%；2023年，中國光通信產業鏈產值約為190億美元，預計2028年達295.03億美元，年復合增長率為9.5%。

  光芯片是光通信產業的關鍵元器件，尤其是通信激光器芯片。ICC訊石預測2023-年2028年全球通信激光器芯片需求量年復合增長率約為5%。從市場金額角度看，2023年全球通信有源光模塊激光器市場金額約為150億元，預計到2028年將增長至約260億元，2023年-2028年的年復合增長率約為9.6%。

  隨著光電芯片的應用不斷擴寬，光芯片產業將在激光雷達，傳感，醫療，航空航天等領域跨界融合發展，助力新一代網絡通信，人工智能產業集群高質量發展。《行動方案》的發布將極大利好產業發展，加快關鍵核心技術突破，產業落地。

  《行動方案》重點任務，包括突破產業關鍵技術、加快中試轉化進程、建設創新平臺體系、推動產業集聚發展、大力培育領軍企業和加強合作協同創新。此外，在重點工程方面，《行動方案》提到推進關鍵材料裝備攻關工程、產業強鏈補鏈建設工程、核心產品示范應用工程以及前沿技術產業培育工程。

  明確強化光芯片各項能力支持力度

  《行動方案》明確，強化光芯片基礎研究和原始創新能力。鼓勵有條件的企業、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學神經網絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。強化光芯片基礎研究和原始創新能力。鼓勵有條件的企業、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學神經網絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。加大“強芯”工程對光芯片的支持力度。

  加快建設一批概念驗證中心、研發先導線和中試線。支持企業、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導體、硅基(異質異構)集成、光電混合集成等領域，建設概念驗證中心、研發先導線和中試線，加快科技成果轉化進程。支持中試平臺積極發揮效能。鼓勵中試平臺孵化更多創新企業。建設創新平臺體系。聚焦前沿技術領域建設一批戰略性平臺。聚焦產業創新領域培育一批專業化平臺。聚焦專業化服務領域建設一批服務類平臺。

  推動產業集聚發展 培育領軍企業

  強化光芯片產業系統布局。強化我省光芯片產業總體發展布局，支持有條件的地市研究出臺關于發展光芯片產業的專項規劃，加快引進國內外光芯片領域高端創新資源，形成差異化布局。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發揮半導體及集成電路產業鏈基礎優勢，結合本地區當前發展人工智能、大模型、新一代網絡通信、智能網聯汽車、數據中心等產業科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產業集群，打造涵蓋設計、制造、封測等環節的光芯片全產業鏈，積極培育光計算芯片等未來產業。支持依托半導體及集成電路產業集聚區，規劃建設各具特色的光芯片專業園區。

  大力培育領軍企業。支持引進和培育一批領軍企業，支持孵化和培育一批科技型初創企業，支持龍頭企業加強在粵布局。加強合作協同創新。積極對接國家集成電路戰略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。積極對接港澳創新資源。積極對接國內外其他區域創新資源。

  加快關鍵材料裝備攻關 產業強鏈補鏈建設

  加快開展光芯片關鍵材料研發攻關。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關鍵材料研發制造。

  推進光芯片關鍵裝備研發制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發和國產化替代。落實工業設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。

  支持光芯片相關部件和工藝的研發及優化。大力支持收發模塊、調制器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發和產業化。支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發和持續優化。

  加強光芯片設計研發。鼓勵有條件的機構對標國際一流水平，建設光芯片設計工具軟件及IP等高水平創新平臺，構建細分領域產業技術創新優勢。支持光芯片設計企業圍繞光通信互連收發芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領域加強研發和產業化布局。

  加強光芯片制造布局。在符合國家產業政策基礎上，大力支持技術先進的光芯片IDM（設計、制造、封測一體化）、Foundry（晶圓代工）企業，加大基于硅基、鍺基、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質異構集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產線和產能布局。

  提升光芯片封裝水平。大力發展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術，緊貼市場需求推動光芯片封裝測試工藝技術升級和能力提升。

  為保證行動方案的有效落實，省半導體及集成電路產業發展領導小組統籌推進全省光芯片產業布局，整合各方資源，協調解決重大問題。統籌用好現有專項資金支持光芯片產業發展，在基礎研究、成果轉化、推廣應用、龍頭企業招引、人才引進等方面給予穩定資金支持。積極吸引國內外光芯片龍頭企業在粵設立總部、投資建設重大項目，建立重大項目投資決策和快速落地聯動響應機制，強化各項資源保障。

  《行動方案》原文：https://mp.weixin.qq.com/s/3AA7YMsEMGVtRPqYSzF71Q