ICC訊 作為光模塊核心器件，高速EML芯片長期依賴進口。在2025年光電子與通信會議（OECC）上，澤達半導體宣布成功開發適用于大規模生產的100G PAM4電吸收調制激光器（EML），標志著高速光通信芯片量產化取得關鍵進展。該成果由項目總負責人Dr. K. Huang團隊主導完成，相關論文已被OECC收錄，并引發行業高度關注。

  技術創新驅動量產化突破

  澤達半導體采用單脊波導結構和單對接再生生長技術，簡化了傳統EML的復雜制造流程，同時優化了抗反射（AR）涂層，顯著降低了殘余反射對信號的影響。此外，團隊通過精確調控InGaAsP多量子阱（MQW）的帶隙和應變，使芯片在光電性能和量產穩定性上達到行業領先水平。

模擬模型和反射結果

  高性能表現符合國際標準

  測試數據顯示，該芯片的3 dB帶寬達到54 GHz，在25°C至70°C的工作溫度范圍內，TDECQ（傳輸色散眼圖閉合代價）均低于3.0 dB，完全符合IEEE標準要求。這意味著它能夠穩定支持100G PAM4高速信號傳輸，適用于下一代數據中心和5G光模塊應用。

  量產能力已就緒，加速市場應用

  目前，澤達半導體已建立完整的3英寸晶圓生產線，從外延生長、光刻刻蝕到芯片測試均實現自主可控。團隊還自主開發了一套測試系統，可高效評估芯片的直流特性、高頻響應及PAM4眼圖質量，為大規模量產奠定基礎。

  項目負責人Dr. K. Huang表示：“我們的設計不僅優化了性能，更注重低成本、高良率的量產可行性。隨著5G和數據中心對高速光模塊需求的增長，澤達的100G PAM4 EML將幫助客戶降低供應鏈風險，并推動國產光芯片的普及。”

  市場前景廣闊，助力國產替代

  隨著全球數據流量激增，100G及以上速率的光模塊需求持續增長。澤達半導體的這一突破，不僅填補了國內高端EML芯片的量產空白，也為中國光通信產業鏈的自主可控提供了關鍵支持。未來，該技術有望進一步擴展至200G/400G更高速率市場，推動全球光通信技術的升級發展。