ICC訊  2025年8月6日，Tower Semiconductor召開第二季度財報電話會議。首席執行官Russell Ellwanger在會議中披露：“2025上半年，我們從試產轉入量產階段的硅光產品數量是去年同期的5倍，已超2024年全年總量。這印證了平臺成熟度、客戶采納率及運營擴展效率的提升。”

  1. 技術進展與產品

  現有產品：正在量產400Gbps、800Gbps產品，并大力提升1.6Tbps產品的晶圓投片量。

  新技術突破：

  - 開發出300mm硅光子學新技術，可為光收發模塊的接收功能提供成本和性能優勢。

  - 利用成熟硅光子學平臺，實現200G每通道、1.6Tbps產品的高良率。

  下一代技術（3.2Tbps）：

  - 需根本性改進（新器件、工藝、材料）。

  - 與一級客戶合作推進，首個平臺預計2026年中量產。

  2. 產能與量產進展

  量產轉換加速：2025年上半年，硅光子學產品從試產轉入量產的數量同比增長5倍，已超2024年全年總量。

  新增產能規劃：

  - 接收端新技術計劃2025年Q4開始初步量產。

  - 到2026年底，硅光子學產能預計比當前水平翻倍。

  3. 市場驅動與競爭優勢

  取代傳統方案：1.6Tbps產品推動硅光子學替代傳統EML解決方案，憑借顯著的成本與性能優勢提升市場滲透率。

  市場擴展：

  - 當前產品主要服務光收發模塊的發射功能。

  - 接收端新技術預計將服務市場擴大約20%。

  客戶需求：1.6Tbps原型產品增速快于400G/800G（年初至今數量高出40%），服務多個大型客戶。

  4. 收入與增長預期

  2025年目標：硅光子學收入預計較2024年（1.05億美元）翻倍，下半年增速可能超預期。

  長期產能規劃：到2026年下半年，硅光子學產能將達2025年Q4目標水平的2.2倍。

  5. 制造布局靈活性

  全球工廠（日本、美國、以色列、意大利）支持交叉認證與產能調配，滿足地緣政治及客戶地域需求。

  日本富山5號晶圓廠開放承接功率器件等新增訂單。

  補充說明

  與硅鍺（SiGe）的協同：硅光子學與硅鍺同屬射頻基礎設施業務，2025年Q2射頻基礎設施業務占公司總收入25%（超9000萬美元），預計未來顯著增長。

  技術路線確定性：CEO重申，可插拔光模塊仍為主流，共封裝光學（CPO）商用預計不早于2029年，現有硅光技術路線不受影響。

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