ICC訊 近日，專注于數(shù)據(jù)通信及AI應(yīng)用光芯片研發(fā)的武漢光安倫光電技術(shù)有限公司，打破多處工藝和技術(shù)壁壘，正式向市場發(fā)布針對單通道400Gbps EML、ITLA及InP-MZM三大核心應(yīng)用的光芯片產(chǎn)品。此次新品聚焦高速通信場景需求，在帶寬、波長調(diào)諧、電光性能等關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)突破，為下一代光通信技術(shù)升級提供核心器件支撐。

      400Gbps EML芯片：高帶寬，適配單端驅(qū)動需求 ：本次發(fā)布的400Gbps EML芯片，通過優(yōu)化波導(dǎo)設(shè)計與特殊材料工藝，提升吸收與帶寬特性。在50℃工作溫度、100mA偏置電流（Idfb）及-1V反向電壓（Vea）的典型工況下，芯片-3dB帶寬達(dá)到92GHz，可穩(wěn)定支持單端驅(qū)動模式下400Gbps每通道的高速數(shù)據(jù)傳輸需求。同時，該芯片直流消光比（DCER）典型值達(dá)8dB（@-2V），可有效降低信號失真，保障數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性，適用于電信骨干網(wǎng)、大型數(shù)據(jù)中心互聯(lián)等高速通信場景。

  ITLA芯片：寬譜調(diào)諧+窄線寬，助力相干與WDM應(yīng)用 ：采用100nm C+L波段寬譜增益材料以及MZI、SOA多段集成電注入方式實現(xiàn)了C與L波段>40nm范圍的波長調(diào)諧，線寬低于100kHz，可支持高速相干、WDM等應(yīng)用需求。

  InP-MZM/IQ-MZI芯片：高電光帶寬+優(yōu)驅(qū)動特性，強(qiáng)化信號調(diào)制性能：采用MMI+ MZM光學(xué)波導(dǎo)及CL-TWE電極方案，結(jié)合光波導(dǎo)優(yōu)化制程工藝實現(xiàn)EO帶寬＞67GHz，DCER＞30dB，Vπ=2.1V 特性參數(shù)。降低驅(qū)動電路能耗，適配低功耗通信設(shè)備需求，為AI數(shù)據(jù)中心、5G承載網(wǎng)等場景提供高效調(diào)制解決方案。