ICC訊 9月10日，CIOE 中國光博會正式開幕，光子集成芯片創新引領著蘇州易纜微半導體技術有限公司攜一系列面向高速率應用的硅光異質集成芯片產品亮相展會，展臺現場（展位號11C26）門庭若市，行業觀眾紛紛關注易纜微在硅光薄膜鈮酸鋰技術領域的創新產品動態。

蘇州易纜微展臺交流互動

  ICC訊石編輯在現場看到了易纜微展示的一系列產品，例如單波400Gbps異質集成差分調制芯片、1.6T（單波200Gbps）異質集成差分調制芯片、80GHz光強度調制芯片、CWDM4 Demux組件、OCS 8x8以及各類高密度的FA光學組件等產品亮相。

  硅光與薄膜鈮酸鋰異質集成是1.6T與3.2T關鍵實現方案

  蘇州易纜微創始人暨董事長陳偉博士在訊石光通訊網采訪中表示，蘇州易纜微在本屆光博會亮相的一系列光子集成芯片產品，皆依托于具有自主知識產權的硅光子異質集成產品開發平臺，該平臺可以將硅材料、薄膜鈮酸鋰材料等光電子芯片核心材料通過鍵合實現異質集成的混合結構，進而將硅的成本優勢和薄膜鈮酸鋰的性能優勢充分結合，為更高帶寬的調制速率提供可行性，是實現下一代1.6T和3.2T光模塊和CPO的關鍵技術。

  據訊石了解，在本次展會，易纜微推出了全球首發的基于硅光異質集成薄膜鈮酸鋰的單波400Gbps差分調制芯片，該芯片采用了完全自主知識產權8英寸晶圓級硅光異質集成薄膜鈮酸鋰工藝制備，利用成熟的CMOS硅光工藝和Die-to-Wafer鍵合工藝，實現了硅光優異的無源器件性能和薄膜鈮酸鋰優異的電光特性優勢互補。

硅光異質集成薄膜鈮酸鋰單波400Gbps差分調制芯片

  陳偉認為，這款芯片產品再次證明了利用異質集成技術可以充分發揮不同材料體系各自優勢是硅光平臺演進發展的最優解。公司將持續推動工藝的迭代發展，預計明年將推出超低插損的八通道芯片共享一顆CW DFB光源，這種設計方案可以幫助光模塊廠商簡化光模塊內部結構復雜度，并進一步降低成本。

  打造硅光芯片工藝中試線 易纜微抓住高速市場機遇

  AI大模型的爆發帶動了智算數據中心和算力集群規模的高速發展，光互連是實現AI智算拓展網絡的關鍵。訊石認為，光通信產業正處于新一輪高速增長時期，這一時期因AI人工智能技術和GPU性能持續迭代，縮短了數據通信高速光模塊迭代周期，1.6T在2025年已有小批量出貨，預計2026年將迎來大規模應用，更下一代的3.2T也在加速研發驗證中。

  蘇州易纜微的硅光薄膜鈮酸鋰異質集成芯片在高速光模塊具有極高的應用價值。在市場發展方面，ICC訊石產業院分析2026年800G需求將達4500萬只，1.6T也達到1100萬只。同時在AI算力浪潮中，硅光技術成為市場變革的明星，據ICC訊石產業院預測，當前800G光模塊的硅光技術市占率近35%-50%，400G光模塊約20%-30%?；ヂ摼W廠商也表示采購1.6T光模塊基本將選擇硅光類型產品。

硅光薄膜鈮酸鋰產品

  而面對不斷增長的市場需求，蘇州易纜微打造的硅光芯片工藝中試線已經投入使用，成為公司產業化發展的重要里程碑。據陳偉介紹，易纜微硅光芯片工藝中試線攻克了高精度鍵合與晶圓級加工等關鍵技術的瓶頸，目前可以滿足年產芯片20萬-50萬顆的產能需求，以及每月數百片不同客戶樣品的定制需求及制備。

  總 結

  AI大模型自2023年以來，已經持續了3年的高速發展，AI算力需求不斷提高推動了AI集群規模部署和互連帶寬技術演進。英偉達、博通等國際廠商引領CPO技術和商用的進展，400G/800G以及1.6T光模塊市場也以遠超業界預期的速度持續增長。ICC訊石認為AI已經成為光通信產業歷史中最為重要的一次變革機遇。在這輪變革趨勢的最大亮點之一，就是硅光已經從過去的技術概念走向了商業現實且市場占比迅速提高。

陳偉博士（左）接受訊石采訪

  蘇州易纜微董事長陳偉博士具有二十多年硅光子技術研發經驗，深刻了解硅光子技術的發展進程和未來趨勢。眾所周知，提升光通信調制器技術是光模塊和CPO朝1.6T和3.2T演進的核心路徑。蘇州易纜微通過將硅光子和薄膜鈮酸鋰以先進鍵合方式實現異質集成的結合，是光通信調制器技術的重要創新，為蘇州易纜微在下一代光通信高速時代中占據商用先機奠定基礎。