ICCSZ訊(編譯：Aiur) 新加坡先進微晶圓廠(Advanced Micro Foundry，AMF)，一家從IME獨立出來的新興企業，專注于提供硅光子代工能力，宣布推出多層級硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成電路(PIC)平臺。該平臺實現了3D光子納米結構的密集集成，該公司稱其可實現小尺寸、低損耗、性能升級和制造公差。

  AMF表示，SiN-on-Si方法改進了硅光子常用的絕緣體上硅(SOI)。 SOI方法在最頂層的硅層上制成光波導，并在頂部集成不同的功能(可能使用不同的材料)。SOI方法已經成功用于制作光收發器中的光學次模塊、有源光纜、醫學傳感器、光學雷達和其他應用。

  不過，AMF CEO Dr. Tan Yong Tsong卻表示：“在其他產品中，例如超大規模(VLS)的光子集成電路要求高密集集成的片上光學路由網絡，其一個SOI平臺會受到單一波導層的限制。而與之相反，為了應對不同且復雜的要求，具有更低光學損耗的多個波導層成為了客戶需求。”

  AMF表示SiN-on-Si方法可以滿足這些新興需求，相比于標準硅，SiN波導提供更低光學損耗。其與包層氧化物的低折射率對比度也增加了制造公差，在陣列波導光柵(AWG)和其他架構下可以充分使用。同時，AMF還補充到，SiN-on-Si方法可將高速調制器、鍺光電探測器和溫度可調器件被多個SiN波導集成在雙層SiN-Si或三層SiN-SiN-Si波導系統中。