ICC訊 九峰山實驗室近日在磷化銦(InP)材料領(lǐng)域取得重要技術(shù)突破，成功開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結(jié)構(gòu)探測器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝，關(guān)鍵性能指標達到國際領(lǐng)先水平。這一成果也是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從核心裝備到關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化協(xié)同應(yīng)用，為光電子器件產(chǎn)業(yè)化發(fā)展提供重要支撐。

  九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片

  作為光通信、量子計算等領(lǐng)域的核心材料，磷化銦(InP)材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用長期面臨大尺寸制備的技術(shù)瓶頸，業(yè)界主流停留在3英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的爆發(fā)式增長。

  九峰山實驗室依托國產(chǎn)MOCVD設(shè)備與InP襯底技術(shù)，突破大尺寸外延均勻性控制難題，首次開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結(jié)構(gòu)探測器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝， 關(guān)鍵性能指標達到國際領(lǐng)先水平，為實現(xiàn)6英寸磷化銦(InP)光芯片的規(guī)模化制備打下基礎(chǔ)。

  材料性能：

  FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標準差<1.5nm，組分與厚度均勻性<1.5%

  PIN探測器材料本底濃度<4×101?cm?3，遷移率>11000 cm2/V·s

九峰山實驗室外延工藝團隊

  在全球光電子產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的背景下，光通信、激光雷達、太赫茲通信等領(lǐng)域?qū)α谆?InP)的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。據(jù)Yole預測，磷化銦(InP)光電子市場規(guī)模2027年將達56億美元，年復合增長率(CAGR)達14%。6英寸磷化銦(InP)工藝的突破，有望推動國產(chǎn)光芯片成本降至3英寸工藝的60%-70%，有助于增強國產(chǎn)光芯片市場競爭力。

  九峰山實驗室本次聯(lián)合國內(nèi)供應(yīng)鏈實現(xiàn)全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展有著重要影響，也為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控奠定了基礎(chǔ)。例如，九峰山實驗室本次技術(shù)突破中6英寸磷化銦(InP)襯底合作方云南鑫耀的6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已實現(xiàn)突破，量產(chǎn)在即。未來，實驗室將持續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，推動下游產(chǎn)品驗證，提升產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力，推動我國光電子產(chǎn)業(yè)升級。