ICC訊 4月18日，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司（簡稱“長光華芯”或“公司”，688048）發(fā)布更正2022年度業(yè)績快報。

  2022年，長光華芯實現(xiàn)營業(yè)總收入3.86億元，同比下滑9.98%；歸屬于母公司所有者的凈利潤1.25億元，同比增長8.5%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤2547.23萬元，同比下滑64.81%。長光華芯日前在公開平臺透露，公司于3月底完成了VCSEL芯片通過了車規(guī)級 AEC-Q102 認(rèn)證，具備技術(shù)實力與量產(chǎn)能力。

  長光華芯作為太湖光子產(chǎn)業(yè)建設(shè)的骨干公司將推動光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。公司的高功率芯片、光通訊芯片、光傳感芯片是光子芯片的大類。公司會發(fā)揮 IDM 平臺優(yōu)勢、核心技術(shù)儲備優(yōu)勢、產(chǎn)能優(yōu)勢及十年的工藝優(yōu)勢，在光子芯片領(lǐng)域不斷突破。

  值得注意的是，日前長光華芯在公開平臺答投資者提到，公司于3月底完成了 VCSEL 芯片通過了車規(guī)級 AEC-Q102 認(rèn)證，具備技術(shù)實力與量產(chǎn)能力。VCSEL 芯片是公司橫向拓展中重要的發(fā)展方向，公司會持續(xù)投入研發(fā)。VCSEl 可用于多種場景，公司也將配合不同的下游客戶進(jìn)行研發(fā)升級與工藝優(yōu)化。

  在量產(chǎn)產(chǎn)品方面，長光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產(chǎn)品在功率和效率上都處于全球領(lǐng)先。底層技術(shù)平臺方面，長光華芯建成了全球唯二、國內(nèi)唯一的6 吋高功率半導(dǎo)體激光芯片晶圓垂直整合生產(chǎn)線，并在芯片設(shè)計、關(guān)鍵設(shè)備、工藝技術(shù)和原材料方面實現(xiàn)自主可控。長光華芯也在按照II-VI 的路徑進(jìn)行材料技術(shù)平臺布局，其具備國內(nèi)首家IDM GaAs 芯片6 吋產(chǎn)線和3 吋InP 產(chǎn)線，正在開發(fā)的GaN 產(chǎn)品線有望在2 年內(nèi)產(chǎn)生收入，同時在SiC 方面積極考慮布局。從工藝上看，外延生長決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需要長期工藝經(jīng)驗積累，具備較高壁壘，并為長光華芯向更大功率進(jìn)發(fā)打下基礎(chǔ)。公司百余名研發(fā)人員中有多位國家級技術(shù)專家人才及二十余名博士，在本土半導(dǎo)體工藝人才不夠豐沛的前提下，團(tuán)隊經(jīng)多年培養(yǎng)而成，形成人才壁壘。

  同時，公司通過投資、參股、籌備產(chǎn)業(yè)基金的形式借助資本力量持續(xù)發(fā)展，并培育產(chǎn)業(yè)鏈土壤。

  半導(dǎo)體激光器底層多為GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多為設(shè)計+外延生長+Fab 制造+封測，其中外延生長和Fab 制造能力有望完全復(fù)用，設(shè)計和封測環(huán)節(jié)則需進(jìn)一步考慮應(yīng)用產(chǎn)品的情況。對于長光華芯而言，在技術(shù)平臺化后，根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域可以不斷橫向擴(kuò)展芯片產(chǎn)品，從大功率市場走向小功率信號市場。同時，在GaN 平臺開發(fā)完成后，可進(jìn)入可見光激光市場及部分無線通信、電功率芯片市場；未來利用化合物半導(dǎo)體基礎(chǔ)將SiC 平臺逐漸開發(fā)完成后，則可以進(jìn)軍更大的電功率芯片市場，且能夠與大功率光芯片形成配合，打造成套方案。在優(yōu)勢的高功率領(lǐng)域則可以深挖打通產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)縱向延伸。如在相對早期的車載激光雷達(dá)市場從VCSEL 芯片延伸到模組；在技術(shù)難度較高且市場規(guī)模有限的大功率激光市場，布局該產(chǎn)業(yè)鏈的封測環(huán)節(jié)，并延伸至器件、模組、甚至激光器整機(jī)等業(yè)務(wù)，并由此形成核心優(yōu)勢競爭力切入特殊應(yīng)用領(lǐng)域市場。