ICC訊 作為光模塊核心器件，高速EML芯片長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口。在2025年光電子與通信會(huì)議（OECC）上，澤達(dá)半導(dǎo)體宣布成功開(kāi)發(fā)適用于大規(guī)模生產(chǎn)的100G PAM4電吸收調(diào)制激光器（EML），標(biāo)志著高速光通信芯片量產(chǎn)化取得關(guān)鍵進(jìn)展。該成果由項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)完成，相關(guān)論文已被OECC收錄，并引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

  技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)量產(chǎn)化突破

  澤達(dá)半導(dǎo)體采用單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和單對(duì)接再生生長(zhǎng)技術(shù)，簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)EML的復(fù)雜制造流程，同時(shí)優(yōu)化了抗反射（AR）涂層，顯著降低了殘余反射對(duì)信號(hào)的影響。此外，團(tuán)隊(duì)通過(guò)精確調(diào)控InGaAsP多量子阱（MQW）的帶隙和應(yīng)變，使芯片在光電性能和量產(chǎn)穩(wěn)定性上達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

模擬模型和反射結(jié)果

  高性能表現(xiàn)符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

  測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，該芯片的3 dB帶寬達(dá)到54 GHz，在25°C至70°C的工作溫度范圍內(nèi)，TDECQ（傳輸色散眼圖閉合代價(jià)）均低于3.0 dB，完全符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)要求。這意味著它能夠穩(wěn)定支持100G PAM4高速信號(hào)傳輸，適用于下一代數(shù)據(jù)中心和5G光模塊應(yīng)用。

  量產(chǎn)能力已就緒，加速市場(chǎng)應(yīng)用

  目前，澤達(dá)半導(dǎo)體已建立完整的3英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，從外延生長(zhǎng)、光刻刻蝕到芯片測(cè)試均實(shí)現(xiàn)自主可控。團(tuán)隊(duì)還自主開(kāi)發(fā)了一套測(cè)試系統(tǒng)，可高效評(píng)估芯片的直流特性、高頻響應(yīng)及PAM4眼圖質(zhì)量，為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

  項(xiàng)目負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang表示：“我們的設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了性能，更注重低成本、高良率的量產(chǎn)可行性。隨著5G和數(shù)據(jù)中心對(duì)高速光模塊需求的增長(zhǎng)，澤達(dá)的100G PAM4 EML將幫助客戶(hù)降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，并推動(dòng)國(guó)產(chǎn)光芯片的普及。”

  市場(chǎng)前景廣闊，助力國(guó)產(chǎn)替代

  隨著全球數(shù)據(jù)流量激增，100G及以上速率的光模塊需求持續(xù)增長(zhǎng)。澤達(dá)半導(dǎo)體的這一突破，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端EML芯片的量產(chǎn)空白，也為中國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關(guān)鍵支持。未來(lái)，該技術(shù)有望進(jìn)一步擴(kuò)展至200G/400G更高速率市場(chǎng)，推動(dòng)全球光通信技術(shù)的升級(jí)發(fā)展。