陳教授在演講中指出鈮酸鋰為基的光子集成器件主要仍是高速光調(diào)制器，估計今后若干年內(nèi)40Gps以上的鈮酸鋰M-Z調(diào)制器尚無別的可取代。

    半導(dǎo)體光子集成仍是光集成發(fā)展的主流

    在談到SiO2光子集成時說SiO2為基的AWG已有許多應(yīng)用，雖然通道數(shù)一千以上的AWG在技術(shù)上已不是問題，但尚未實(shí)際采用，近年更注意發(fā)展與VOA和光開關(guān)等多功能集成的器件和模塊，通道數(shù)量中等，以適應(yīng)發(fā)展靈活城域光網(wǎng)的需要，以此構(gòu)成的ROADM就是明顯例子。陳教授認(rèn)為半導(dǎo)體光子集成目前仍是光集成發(fā)展的主流，特別是InP光子集成受到多方面重視，取得了可喜進(jìn)展，Bookham的InP 10Gps M-Z調(diào)制器芯片尺寸僅三毫米，可以大大縮小收發(fā)模塊體積；近兩年Infinera 的大規(guī)模光子集成發(fā)展迅速，1.6 Tb/s 的芯片上光器件已超過240，共40通道，傳輸速率40Gps。

    城域光網(wǎng)使用的光開關(guān)大部分都是在100端左右

    陳教授在講到MOEMS技術(shù)在光網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用的前景時認(rèn)為大端數(shù)光開關(guān)陣列的解決方案目前只有3D-MOEMS，已報道能做到了4000×4000端數(shù)，但現(xiàn)在千端數(shù)以上的光開關(guān)在光通信中還沒有采用，發(fā)展中的城域光網(wǎng)使用的光開關(guān)大部分都是在100端左右，例如Glimmerglass 公司開發(fā)的從32×32到160×160的MOEMS光開關(guān)子系統(tǒng)似乎很受歡迎。

    聚合物光子集成器件可能會在接入光網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用

    關(guān)于聚合物光子集成器件，他認(rèn)為首先可能會在接入光網(wǎng)中應(yīng)用，例如1×16以上的光分路器，當(dāng)大批量生產(chǎn)時有明顯的成本低的優(yōu)勢，在今年2006OFC上，日本OMRON公司介紹了一項聚合物光子集成器件大量復(fù)制工藝。

    光子晶體前景廣闊 道路漫長

    演講的最后部分陳教授介紹了光子晶體在光子集成中應(yīng)用的研究現(xiàn)狀和前景，由于光子晶體對光導(dǎo)通和限制的機(jī)理與傳統(tǒng)的材料和器件根本不同，光子帶隙效應(yīng)可將光子晶體中光束限制于更小空間，使光器件尺寸更小，例如2005年已報道光子晶體M-Z調(diào)制器僅80微米，這就有可能更大提高光集成密度。陳教授指出光子晶體光子集成目前尚處于基礎(chǔ)研究階段，雖然已有許多有源和無源光子晶體光器件在實(shí)驗(yàn)室證實(shí)，但到實(shí)際應(yīng)用還有很長路程。