ICCSZ訊 2月17日，三安光電發布公告稱，公司擬以17.56元/股價格非公開發行股票不超過398,633,257股(含398,633,257股)募集資金總額不超過700,000萬元，其中，先導高芯擬認購金額為500,000萬元，格力電器擬認購金額為200,000萬元。募集資金擬投入半導體研發與產業化項目(一期)。

  根據再融資新規，公司修訂非公開發行股票預案。定價方式調整為不低于定價基準日前20個交易日公司股票交易均價的80%;鎖定期調整為先導高芯、格力電器認購的股票自發行結束之日起18個月內不得轉讓(修訂前為36個月內不得轉讓)。

  據了解，三安光電此次募集資金擬投入“半導體研發與產業化項目(一期)”(規劃總投資約138億元)。主要投向中高端產品，包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、車用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/紅外LED、太陽能電池芯片等。

  三安光電表示，隨著本次募投項目的順利實施，在前期產業布局基礎上，本次募投項目的主要產品將填補國內空白， 公司提高在高端、新興應用領域產品的產能，加快產品結構升級，提升市場份額， 順應 LED 行業產品結構調整的發展趨勢。

  資料顯示，三安光電主要從事化合物半導體材料的研發與應用，以砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業。

  根據預案顯示，三安光電半導體研發與產業化項目(一期)建設主要包括三大業務板塊及公共配套建設，三大業務板塊分別為：氮化鎵(GaN)業務板塊、砷化鎵(GaAs)業務板塊、特種封裝業務板塊。

  本次募投項目實施后，將建成包括高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片;高 端砷化鎵 LED 外延、芯片;大功率氮化鎵激光器;特種封裝產品應用四個產品 方向的研發、生產基地。其中，各業務板塊具體的產能規劃如下：

  1、氮化鎵業務板塊：(1)年產GaN芯片 769.20 萬片，其中：第五代顯 示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60 萬片/年、超高效節能芯片 530.80 萬片/ 年、紫外(UV)芯片 30.80 萬片/年、大功率芯片 46.00 萬片/年;(2)PSS 襯底 年產 923.40 萬片;(3)大功率激光器年產 141.80 萬顆。

  2、砷化鎵(GaAs)業務板塊：(1)年產 GaAs LED 芯片 123.20 萬片，其中：第五 代顯示芯片(Mini/Micro LED)17.60 萬片/年、ITO 紅光芯片 34.90 萬片/年、RS 紅光芯片 19.10 萬片/年、高功率紅外產品 14.20 萬片/年、植物生長燈芯片 14.40 三安光電股份有限公司 2019 年度非公開發行 A 股股票預案 24 萬片/年、大功率戶外亮化芯片 7.20 萬片/年、車用級芯片 7.00 萬片/年、醫療健 康芯片 8.80 萬片/年;(2)年產太陽電池芯片 40.50 萬片，其中：商用衛星電池 13.50 萬片/年、臨近空間裝置 27.00 萬片/年。

  3、特種封裝業務板塊：(1)UV LED 封裝 81.40kk/年;(2)Mini LED 芯 片級封裝 8,483.00 kk/年;(3)車用級 LED 封裝 57.80kk/年;(4)大功率 LED 封裝 63.20kk/年;(5)IR LED 封裝 39.00kk/年。

  從上面的介紹來看，此次三安光電募資的70億主要都是計劃投向以砷化鎵、氮化鎵為代表的高端化合物半導體的研發與應用。

  之前，三安光電在回復投資者問題時表示，公司將鞏固LED龍頭企業地位，力促光電業的發展，致力于化合物半導體集成電路業務成為全球行業領先企業，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。

  在氮化鎵方面，三安光電表示，目前，公司氮化鎵產能約2000片每月，產能還在增加。