ICC訊 11 月 29 日消息，華為技術(shù)有限公司在近日公開了“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法”專利，公開號為 CN113707623A。

  企查查專利摘要顯示，本申請公開了一種芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法。

  芯片封裝組件包括封裝基板、芯片和散熱部，封裝基板包括上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和連接在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電部;芯片包括相背設(shè)置的正面電極和背面電極，芯片內(nèi)嵌在封裝基板內(nèi)，導(dǎo)電部包圍芯片，正面電極與下導(dǎo)電層連接，背面電極與上導(dǎo)電層連接;散熱部連接于上導(dǎo)電層遠(yuǎn)離芯片的表面;上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和導(dǎo)電部均具導(dǎo)熱性能。

  本申請通過設(shè)置芯片與封裝基板的上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層連接，從而芯片產(chǎn)生的熱量可進(jìn)行雙向傳導(dǎo)散熱，并在上導(dǎo)電層上設(shè)置散熱部，使得芯片封裝組件能夠達(dá)到更優(yōu)的散熱效果。

  據(jù)了解，當(dāng)前電子設(shè)備越來越輕薄，芯片封裝組件的集成度越來越高，存在著較為嚴(yán)重的散熱問題，芯片無法得到有效散熱的話，會有一定的安全隱患，華為這項(xiàng)專利可以較好的解決部分散熱問題。