ICC訊 蔣尚義在半導(dǎo)體領(lǐng)域可謂是無人不知的人物，近日，針對中芯國際發(fā)展方向此前引發(fā)的關(guān)注，中芯國際副董事長蔣尚義在第二屆中國芯創(chuàng)年會上表示，先進工藝一定會走下去，先進封裝是為后摩爾時代布局的，中芯國際先進工藝和先進封裝都會發(fā)展。半導(dǎo)體應(yīng)用市場從主要芯片掌握在少數(shù)供應(yīng)商轉(zhuǎn)變?yōu)橹饕酒辉僬莆赵谏贁?shù)廠商。芯片供應(yīng)鏈重整，不同的應(yīng)用需要不同的芯片，芯片的需求成多元化。

  硅是制造芯片的必要材料，一直以來先進的工藝都掌握在西方國家手中。但最先進的硅工藝用上的領(lǐng)域范疇并不多。也就是說，滿足大部分需求的并不會用上這類最先進的技術(shù)，這給我們填補多元化市場帶來優(yōu)勢。中芯國際副董事長蔣尚義表示，摩爾定律的進展已接近物理極限；封裝和電路板技術(shù)進展相對落后，漸成系統(tǒng)性能的瓶頸；最先進硅工藝，只有極少數(shù)極大需求量產(chǎn)品才能用；隨著最后智能手機時代的來臨，對芯片的要求各不相同，種類繁多，變化快，但量不一定大；目前的生態(tài)環(huán)境已不適用。

  據(jù)了解，蔣尚義2016年12月20日至2019年6月21日擔任中芯國際獨立非執(zhí)行董事。2020年11月17日，蔣尚義通過律所發(fā)表聲明，稱因個人原因，已在2020年6月辭去武漢弘芯的董事、總經(jīng)理、首席執(zhí)行官等一切職務(wù)?，F(xiàn)任中芯國際第二類執(zhí)行董事、董事會副董事長及戰(zhàn)略委員會成員。 曾參與研發(fā)CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs激光、LED、電子束光刻、硅基太陽能電池等項目。在臺積電，他牽頭了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點的研發(fā)，使臺積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。