ICC訊  2025年9月10日，CIOE 中國光博會于深圳正式開幕，高端光通信芯片代表廠商上海米硅科技有限公司（簡稱“米硅科技”或“公司”）攜一系列面向高速光通信領域的先進產品和解決方案亮相展會（展位號12D53）。展會期間，米硅科技總經理羅剛先生應邀接受訊石光通訊網采訪，分享了米硅科技的最新技術進展與戰略布局。

  高速互聯與光接入芯片研發取得關鍵進展

  羅總在采訪中表示，米硅科技正在全力推進高速CDR技術和50G PON光接入芯片的研發。在高速SerDes領域，公司研發的四通道及兩通道收發合一CDR芯片支持單波112G傳輸速率，主要應用于AOC和AEC等場景，預計2025年底向客戶提供樣品。在光接入網領域，公司重點開發非對稱50G PON架構芯片，涵蓋OLT側50G NRZ發射和25G突發模式CDR接收功能，同時布局對稱25G PON芯片研發，預計2026年第二季度送樣。

  榮獲“光電技術創新獎” 米硅112G PAM4 CDR芯片備受矚目

  在展會首日，米硅科技重點展示的4×112 Gbps PAM4 CDR TxRx全系列芯片，憑借其卓越的性能指標與顯著的創新價值，榮獲大會組委會頒發的“光電技術創新獎”。該系列芯片憑借優異的信號完整性、多通道協同性能及先進的功耗控制，展現出企業在高速光互聯核心芯片設計領域的扎實技術積累與創新突破。

  此次獲獎，反映出行業對國產高端光通信芯片研發進展的積極認可。米硅科技表示，這一成績離不開客戶與合作伙伴長期的支持與信任，公司將秉持“技術驅動、創新為本”的理念，繼續聚焦于高速互連領域，堅持技術自研與協同創新，為產行業提供更多高性能、高可靠性的芯片解決方案。

  突破性6G前傳技術 全球首推CDR模擬方案

  在6G前傳這一前沿賽道，米硅科技正致力于將模擬CDR技術拓展至該領域。與業界普遍采用DSP方案不同，米硅希望通過純模擬電路實現112G收發通道，打造全球首款基于模擬CDR架構的6G前傳芯片。

  然而，在追求更高性能的道路上仍存在顯著挑戰。隨著AI算力網絡對數據傳輸速率的要求不斷向單波200G甚至400G邁進，DSP方案憑借其先天的制程工藝（從7nm、5nm到3nm）展現出顯著的性能擴展優勢。模擬電路雖然同樣受益于工藝進步，但其性能突破更依賴于電路設計和結構的創新。

  盡管面臨挑戰，模擬方案依舊具有DSP難以比擬的獨特優勢：功耗顯著降低、實現零傳輸延遲、無需外部時鐘以及更低的整體成本。米硅科技相信，隨著模擬CDR技術在高速連接性能上的持續突破，未來必將能夠提供超越DSP方案的高性價比解決方案，為AI算力網絡和6G前傳等場景帶來更優選擇。

  成熟工藝與嚴謹設計協同發力 打造全系列國產解決方案

  為滿足AI算力場景對高速光連接的苛刻要求，米硅科技在工藝選擇和設計流程兩大方面共同發力，全面提升產品可靠性。在制造層面，公司采用成熟穩定的BiCMOS工藝，確保芯片具備良好的寬溫工作適應性和工藝一致性。在設計階段，米硅貫徹嚴格的設計規范和可靠性驗證機制，從前端徹底排查潛在不穩定因素，從而保障芯片在實際應用中的高性能與長期穩定運行。

  羅總表示，后續米硅將繼續加大研發力度，致力于打造全系列國產光通信芯片解決方案。公司將持續深耕高速互聯、光接入和6G前傳等領域，助力國內5G-A、AI算力及未來6G網絡基礎設施的建設與發展，為打破國外技術壟斷、提供更高性價比的國產化芯片選擇做出積極貢獻。