ICC訊 近日，專注于數據通信及AI應用光芯片研發的武漢光安倫光電技術有限公司，打破多處工藝和技術壁壘，正式向市場發布針對單通道400Gbps EML、ITLA及InP-MZM三大核心應用的光芯片產品。此次新品聚焦高速通信場景需求，在帶寬、波長調諧、電光性能等關鍵指標上實現突破，為下一代光通信技術升級提供核心器件支撐。

      400Gbps EML芯片：高帶寬，適配單端驅動需求 ：本次發布的400Gbps EML芯片，通過優化波導設計與特殊材料工藝，提升吸收與帶寬特性。在50℃工作溫度、100mA偏置電流（Idfb）及-1V反向電壓（Vea）的典型工況下，芯片-3dB帶寬達到92GHz，可穩定支持單端驅動模式下400Gbps每通道的高速數據傳輸需求。同時，該芯片直流消光比（DCER）典型值達8dB（@-2V），可有效降低信號失真，保障數據傳輸的準確性，適用于電信骨干網、大型數據中心互聯等高速通信場景。

  ITLA芯片：寬譜調諧+窄線寬，助力相干與WDM應用 ：采用100nm C+L波段寬譜增益材料以及MZI、SOA多段集成電注入方式實現了C與L波段>40nm范圍的波長調諧，線寬低于100kHz，可支持高速相干、WDM等應用需求。

  InP-MZM/IQ-MZI芯片：高電光帶寬+優驅動特性，強化信號調制性能：采用MMI+ MZM光學波導及CL-TWE電極方案，結合光波導優化制程工藝實現EO帶寬＞67GHz，DCER＞30dB，Vπ=2.1V 特性參數。降低驅動電路能耗，適配低功耗通信設備需求，為AI數據中心、5G承載網等場景提供高效調制解決方案。