ICC訊 近日，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱長光華芯)宣布將投資10億元建設新型先進化合物半導體光電子平臺，計劃建設總建筑面積約46,293平方米的生產中心、研發中心和動力站及配套設施。此舉將提升公司的產品供應能力，進一步鞏固和擴大公司的市場份額，有利于完善公司光電子產業鏈布局。

  據了解，蘇州高新區聚焦光子產業發展，推動產業鏈、資金鏈、人才鏈深度融合，以加速打造千億級光子產業創新集群為目標，持續優化光子產業創新創業生態。

  為響應蘇州太湖光子中心建設推進暨蘇州高新區產業創新集群發展的號召，長光華芯全資子公司“研究院”與蘇州科技城管理委員會簽訂了《蘇州科技城管理委員會與蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司項目投資合作協議》。

  長光華芯擬計劃根據項目進程，合理分期投資自有資金及自籌資金10億元在太湖科學城建設先進化合物半導體光電子平臺項目(包括生產中心、研發中心和動力站及配套設施建設，設備采購及后期運營等)。本項目將形成年產1億顆芯片、500萬器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產線建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發、封測能力(包括 6-8 寸器件封測生產線建設)。

  項目計劃2023年開工，2025 年建成投產，本項目預計年產值不低于6億元，年納稅額3410萬元。

  本次投資的項目內容有利于提升長光華芯的產品供應能力，進一步鞏固和擴大公司的市場份額。有利于完善公司光電子產業鏈布局，推動公司與地方政府實現優勢互補、互惠。

  長光華芯擬進行的項目建設將增加公司資本開支和現金支出，但對公司長期的業務布局和經營業績具有積極影響，符合公司整體戰略發展規劃。