ICC訊 近日，高密度光電集成和光通信技術(shù)解決方案供應(yīng)商—深圳市深光谷科技有限公司（簡稱：深光谷科技），取得玻璃通孔光電轉(zhuǎn)接（TGV Interposer）技術(shù)重要突破。深光谷科技聯(lián)合上海交通大學和深圳大學，合作開發(fā)了晶圓級TGV光電interposer工藝，實現(xiàn)了國產(chǎn)首個8英寸晶圓級TGV interposer加工，實測帶寬達到110GHz，可以面向2.5D和3D光電集成封裝應(yīng)用，為VCSEL、DML、EML、硅光、鈮酸鋰等技術(shù)路線的光模塊產(chǎn)品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光電共封裝（CPO）解決方案。

圖片1-TGV晶圓和interposer芯片

  玻璃基先進封裝技術(shù)近年來受到高度關(guān)注，在集成無源器件（IPD）、微顯示、AR/VR等領(lǐng)域具有突出應(yīng)用優(yōu)勢。玻璃具有天然友好的光學性質(zhì)，采用激光誘導(dǎo)刻蝕可以實現(xiàn)高深寬比的玻璃通孔加工，并且能夠支持大尺寸晶圓級和面板級加工，其穩(wěn)定的光電性質(zhì)也帶來了高可靠性的優(yōu)點。2023年9月18日，英特爾推出了玻璃基板封裝的最先進處理器，計劃于2026~2030年量產(chǎn)，基于玻璃基板設(shè)計的共同封裝光學元件技術(shù)（CPO）也將在數(shù)據(jù)中心、人工智能和圖形構(gòu)建等場景帶來顛覆性應(yīng)用。

  深光谷科技所開發(fā)的TGV光電interposer采用激光誘導(dǎo)刻蝕結(jié)合多層重布線（RDL）工藝，通孔深寬比4:1，基板厚度230um，表面平整度1.2um，支持2+1層RDL，挖槽深度60um，支持光纖陣列的耦合對準，支持電芯片flipchip封裝，支持EML/SOA/硅光/鈮酸鋰等光芯片植球倒裝，實測通孔和RDL布線帶寬超過110GHz。

圖片2：通孔電鏡結(jié)構(gòu)、RDL結(jié)構(gòu)、interposer芯片、S21曲線

  深光谷科技專注于光傳輸和光互連的高密度光電集成芯片、光連接器和光纖鏈路技術(shù)，玻璃基光電轉(zhuǎn)接技術(shù)（TGV Interposer）將進一步與深光谷高密度空分復(fù)用技術(shù)結(jié)合，在玻璃激光直寫光連接器、空分復(fù)用技術(shù)扇入扇出器件等方面形成對接，從而發(fā)揮出全鏈路高密度的優(yōu)勢，支撐數(shù)據(jù)中心、算力集群、大容量傳輸?shù)阮I(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

  深光谷科技是由國家級高層次人才團隊創(chuàng)立的，專注于高速光通信技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用的國家高新技術(shù)企業(yè)。核心團隊成員具有新加坡南洋理工大學、香港科技大學、美國哈佛大學、英國劍橋大學等國（境）外知名高校的留學經(jīng)歷，在納米光子器件設(shè)計與開發(fā)、光通信、光學傳感與成像等領(lǐng)域的研究處于世界領(lǐng)先水平。公司致力于開發(fā)面向AI算力集群、數(shù)據(jù)中心、5G通信、星鏈的高密度、低功耗、大容量光通信技術(shù)，以自研光電共封裝interposer芯片和空分復(fù)用光芯片為核心，利用前沿的納米光子學技術(shù)，結(jié)合人工智能、深度學習等新型光器件設(shè)計方案，為大模型人工智能及5G+時代急劇增長的數(shù)據(jù)通信容量需求提供最先進解決方案。核心技術(shù)包括空分復(fù)用光通信技術(shù)、共封裝（CPO）光電集成互連、衛(wèi)星激光通信等，核心產(chǎn)品有模式復(fù)用光芯片和器件、多芯光纖扇入扇出芯片和器件、CPO光電集成互連interposer芯片、衛(wèi)星激光通信收發(fā)芯片等，擁有數(shù)十項國家發(fā)明專利。成果獲得中國專利優(yōu)秀獎、中國光學十大進展、教育部自然科學獎等。

  深光谷科技立足于當下，著眼于未來，利用其自身的尖端技術(shù)平臺，結(jié)合人工智能、深度學習等新型光器件設(shè)計方案，為大算力時代急劇增長的數(shù)據(jù)通信容量需求提供領(lǐng)先的光互連解決方案。

  如需進一步了解，可通過如下方式聯(lián)系深光谷科技：

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