ICC訊  三安光電 (SSE:600703)全資子公司三安集成作為射頻芯片研發、制造和服務公司，建立了自主工藝技術平臺，與高校、通訊龍頭企業共同完成的項目“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關鍵技術及在 5G 通信產業化應用”于近日榮獲2023年度國家科學技術進步一等獎。

  三安集成在該項目中承擔了氮化鎵功率放大器關鍵技術的研發和產業化工作，與高校、通訊龍頭企業協作攻克了5G移動通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器核心工藝技術，形成了自主知識產權氮化鎵功放芯片制造工藝技術解決方案，并通過了5G組件和系統的應用驗證，實現了在客戶端的穩定批量出貨。

  5G技術對于射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更高的要求，氮化鎵作為第三代半導體材料具備相較傳統硅基射頻器件更好的高頻特性，被業界認為是目前5G基站功放的最優解決方案。該項目成果即有效地滿足了我國5G基站對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術領域的國際領先地位奠定了重要基礎，并取得了顯著的經濟和社會效益。據中國信通院白皮書發布信息，截至2023年10月底，國內已部署開通5G基站累計321.5萬個，估算2023年5G直接帶動經濟總產出1.86萬億元，間接帶動總產出4.24萬億元。

  三安集成成立于2014年，持續投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發和制造，于廈門和泉州布局了大規模射頻芯片產業鏈，主營業務包括氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測代工和濾波器產品，應用涵蓋民用基站、智能手機、Wi-Fi和物聯網等領域，在國內射頻芯片制造領域占據重要份額。